由复旦大学和滨松联合举办的第12届IC的先进光子学失效分析技术于2019年3月21日在上海成功举行。随着集成电路不断向高集成度发展，纳米尺度特征尺寸对IC设计和制造中器件的性能、可靠性和质量控制提出了更高的要求。本次研讨会以推进先进IC可靠性和失效分析技术的应用为目的，邀请了来自复旦大学国家微分析中心、NXP、西部数据、泓准达和滨松等国内外著名研究机构和知名企业的多位专家进行该领域最新技术动态论述，以及IC可靠性和失效分析技术的应用介绍。
会议主要包括8个技术报告，分别为《电子封装中芯片失效的计算模拟和失效分析》、《Nanoprobe在VIA/Contact案例中的应用》、 《NANAD存储器中电性失效分析技术介绍》、《微光发射、热发射、光束诱导电阻变化技术的原理》、《案例分享：利用Phemos-1000设备EOP功能实现1 ns延时采集》、《DC/DC转换器高温闩锁测试方案》、《先进失效分析技术的建议》、《定位设备俯视图》。来自复旦大学、NXP和西部数据等研究机构和公司的专家在报告中多次提及滨松的Phemos-1000等电性失效分析产品，并详细介绍了其在存储器，DC/DC转换器等领域中的应用。
滨松是全球电性失效分析领域著名公司，基于Photo Emission，Thermal Emission，Optical Beam Induced Resistance Change以及Ultra Sonic Wave技术开发出了Phemos、iPhemos和Thermal等系列产品。另外用户可以根据需求选择Emmix-X camera和EOP等配件，实现leakage，short，high resistance等失效分析，同时亦可以连接测试机，用于模拟和还原失效分析场景。
iPHEMOS-MP倒置微光显微镜是Phemos-1000的升级版，。iPHEMOS采用倒置型设计，可以对半导体器件的背面进行探测分析，并可结合Tester顺利进行各种类型的分析。iPHEMOS-MP包含一个激光扫描系统，可以获得高分辨率的图像。不同类型的探测器可以用来实现各种分析技术，比如发射分析、热分析、红外-光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析等。当结合专用探测器进行背面观察，iPHEMOS-MP支持从wafer到单个芯片的灵活测量。iPHEMOS用户可以根据需要选择合适的配件和功能，譬如DALSA、lock-in、EOP/EOFM、Nano Lens等。随着国内半导体制造、封测和设计验证等行业的不断发展，iPHEMOS等电性失效分析设备将发挥更重要的作用。
滨松iPhemos产品
