完善的存储产品阵列，表计数据存储再添B计划
FRAM的优势虽然明显，但如果单纯使用FRAM，成本相比EEPROM以及Flash来说势必是略有升高的。而智能电表，特别是单相电、水、气、热表对方案成本的要求通常非常苛刻，因此如何让产品在保持高性能的前提下进一步降低成本是富士通一直以来面临的挑战。
在实际应用中，富士通建议采用超低容量FRAM（4Kbit）与EEPROM并用，帮助实现低成本的电、水、气、热智能表计方案。“采用FRAM与EEPROM并用的方案设计可实现智能表计的高可靠性与安全性，并在整体方案架构上省去用于EEPROM掉电保护的大电容，从而有效地降低系统整体的BOM成本。”冯逸新表示。为满足用户在低成本和高性能的完美平衡，富士通FRAM存储器推出了用于计量模块的I2C接口的3v、5v电源电压驱动的4kbit、16kbit、64kbit、128kbit和256kbit的FRAM产品，同时推出用于抄表采集器或集中器用的SPI接口的16kbit到4Mbit的多容量的FRAM存储器。这些产品大的优势是高速写入，高写入操作耐久性和高可靠性，适用于智能四表的掉电保护等高可靠性设计要求。
“另外，针对工业电表，富士通还可以提供ReRAM。低功耗和大容量的ReRAM是那些以读操作为主，更换电池困难，抄表困难但需长时间保持数据的流量仪表的佳解决方案。”冯逸新称，“目前第一代产品4Mbit早已量产之中，第二代产品8Mbit已经开始供给ES样品，未来第三代产品将开发SPI2Mbit产品，可用于替代EEPROM，应用于需要高温操作的工业电表等应用当中。”
同时，富士通业已着手开发与试产下一代高性能存储产品――NRAM。其同时继承了FRAM的高速写入、高读写耐久性，又具备与NORFlash相当的大容量与造价成本，并实现很低的功耗。在智能表计使用中，一个NRAM就可以替代电、水、气、热表中的Flash、FRAM和EEPROM等所有存储单元，不仅减少了存储器的使用数量，也有利于系统工程师简化设计上的难度。
作为NRAM的第一代产品，16Mbit的DDR3＋SPI接口产品快将于今年底上市，势必引发存储行业的新一轮变革。冯逸新自信地表示：“NRAM既继承了FRAM的高性能，又具有替换NORFlash大容量的特点，我们坚信这必将是一个划时代的存储器解决方案！”
总结
“富士通工业级FRAM已经量产20年之久，积累了非常多量产工艺经验，从1999年至今，总共出货达41亿颗！”冯逸新总结道。事实上，除了表计关键数据存储，富士通FRAM产品还应用于RFID、医疗电子、汽车电子等广泛的领域，某种程度上来说，小小的FRAM存储器正在广泛赋能各行各业的创新应用！以目前智能表计行业的情况来看，想做到真正的智能化，还需要经历从功能到性能的全面飞跃，从关键数据存储的变革做起实现更多的创新将加速产品和行业的升级。
